Южнокорейская компания Samsung объявила о том, что вскоре начинает производство первых микросхем мобильной памяти типа LPDDR4 с плотностью 8 Гбит.
В своем пресс-релизе компания отметила, что новый стандарт производится с соблюдением технологических норм 20-нм-класса, эффективная частота этой памяти составляет 3200 МГц. Это вдвое превосходит возможности микросхем типа LPDDR3, выпускаемых по аналогичной технологии.
В Samsung также отметили, что один модуль может уместить в себе до четырех кристаллов совокупным объемом 4 Гбайт. Энергопотребление нового решения снизилось на 40%.
Массовое производство таких планок мобильной памяти Samsung развернет в начале 2014 г. При этом некоторые СМИ уже пишут о том, что новый смартфон Galaxy S5 получит 4 Гбайт оперативной памяти. Последнее также означает, что устройство будет основано на 64-разрядном процессоре, который может быть представлен в январе.
Напомним, что массовое производство дисплеев для нового флагмана Samsung уже запустила. Об этом стало известно на прошлой неделе. Портал DDaily сообщает, что видимая рабочая зона дисплея нового флагмана от Samsung будет иметь диагональ 5,2 дюйма, а структура "бриллиантовых" пикселей будет позаимствована у Galaxy S4 и Galaxy Note 3. Это, как и раньше, поспособствует улучшению четкости изображения.
Разрешение AMOLED-дисплея Galaxy S5 составит 2560 х 1440 точек. Плотность размещения пикселей при заявленных характеристиках вырастет до 560 точек на дюйм. Для новинки также будет поставляться LCD-версия дисплея с аналогичным разрешением.
